| GD601D 全自动高速固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥52ms UPH:70K/H （现实产能取决于晶片与基板尺寸及制程工艺要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3milx5mil-60milx60mil | ||||||||
| 适用支架尺寸 | L:50-200mm w:60-120mm | ||||||||
| 装备外型尺寸（L*W*H） | 1210（正面长）*916(侧面纵深)*1797(高度)mm | ||||||||
| GD601F+ 全自动高速电阻机 | |||
| 固晶周期 | ?≥90ms UPH:30～40K/H （现实产能取决于贴装电阻之间的间距与基板行列之间间距） | ||
| 物料尺寸 | 0204及以上尺寸 | ||
| 飞达数目 | 8组（双边） | ||
| 适用支架尺寸 | L：50-200mm W：60-120mm | ||
| 装备外型尺寸（L*W*H） | 1209（正面长）*916(侧面纵深)*1797(高度)mm | ||